| Artikelnummer : | EMZ51T2R |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung : | TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 435780 pcs |
| Datenblätte | 1.EMZ51T2R.pdf2.EMZ51T2R.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor-Typ | NPN, PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMZ51T2RDKR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 400MHz, 350MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
LAPIS Semiconductor
