| Artikelnummer : | EMH9T2R |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 309559 pcs |
| Datenblätte | 1.EMH9T2R.pdf2.EMH9T2R.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EMH9T2R-ND EMH9T2RTR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | *MH9 |
LAPIS Semiconductor
