Artikelnummer : | EMB2T2R |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 418936 pcs |
Datenblätte | 1.EMB2T2R.pdf2.EMB2T2R.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | EMB2T2R-ND EMB2T2RTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | MB2 |