Artikelnummer : | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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Hersteller / Marke : | Micron Technology |
Beschreibung : | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 4177 pcs |
Datenblätte | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-VFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
Andere Namen | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
Uhrfrequenz | 533MHz |