| Artikelnummer : | DTB543EMT2L |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
| Beschreibung : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 405572 pcs |
| Datenblätte | 1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 260MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 115 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
| Basisteilenummer | DTB543 |
LAPIS Semiconductor
