Artikelnummer : | DTA115GKAT146 |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 715149 pcs |
Datenblätte | DTA115GKAT146.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 82 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | DTA115 |