Artikelnummer : | DTA113ZETL |
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Hersteller / Marke : | LAPIS Semiconductor |
Beschreibung : | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 522160 pcs |
Datenblätte | 1.DTA113ZETL.pdf2.DTA113ZETL.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Andere Namen | DTA113ZETL-ND DTA113ZETLTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 33 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | DTA113 |