| Artikelnummer : | DMN1019USN-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Diodes Incorporated |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 322015 pcs |
| Datenblätte | DMN1019USN-13.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-59 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 680mW (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen | DMN1019USN-13DITR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2426pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6nC @ 8V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Diodes Incorporated
