| Artikelnummer : | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Diodes Incorporated |
| Beschreibung : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 394246 pcs |
| Datenblätte | DMG6601LVT-7.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | TSOT-26 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Leistung - max | 850mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Basisteilenummer | DMG6601 |
Diodes Incorporated
