| Artikelnummer : | DGD2103MS8-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | Diodes Incorporated |
| Beschreibung : | IC GATE DRVR HV SO8 |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 55494 pcs |
| Datenblätte | DGD2103MS8-13.pdf |
| Spannungsversorgung | 10 V ~ 20 V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 70ns, 35ns |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | DGD2103MS8-13DICT |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| detaillierte Beschreibung | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 290mA, 600mA |
| Ladestrom | Independent |
