Artikelnummer : | DB106G |
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Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
Beschreibung : | DIODE BRIDGE 800V 1A DB |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 173648 pcs |
Datenblätte | 1.DB106G.pdf2.DB106G.pdf |
Spannung - Spitzensperr- (max) | 800V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DB |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Andere Namen | DB106GGN |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Single Phase |
detaillierte Beschreibung | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole DB |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 800V |
Strom - Richt (Io) | 1A |