| Artikelnummer : | BUK9E4R9-60E,127 |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Beschreibung : | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4946 pcs |
| Datenblätte | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 234W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen | 568-9876-5 934066657127 BUK9E4R960E127 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
NXP Semiconductors / Freescale
