Artikelnummer : | APTCV50H60T3G |
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Hersteller / Marke : | Microsemi |
Beschreibung : | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 742 pcs |
Datenblätte | 1.APTCV50H60T3G.pdf2.APTCV50H60T3G.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Supplier Device-Gehäuse | SP3 |
Serie | - |
Leistung - max | 176W |
Verpackung / Gehäuse | SP3 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | Yes |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 3.15nF @ 25V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
detaillierte Beschreibung | IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3 |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80A |
Konfiguration | Full Bridge |