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ALD110904SAL

Artikelnummer : ALD110904SAL
Hersteller / Marke : Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
RoHS Status : Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 18366 pcs
Datenblätte ALD110904SAL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 420mV @ 1µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie EPAD®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4.4V
Leistung - max 500mW
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen 1014-1037
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 10.6V
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12mA, 3mA
Advanced Linear Devices, Inc. Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen für Produktdetails.
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