| Artikelnummer : | 2SK3666-3-TB-E |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| RoHS Status : | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 301721 pcs |
| Datenblätte | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 3-CP |
| Serie | - |
| Resistance - RDS (on) | 200 Ohms |
| Leistung - max | 200mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen | 869-1107-1 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| Aktuelle Drain (Id) - Max | 10mA |
| Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Basisteilenummer | 2SK3666 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
