| Artikelnummer : | 2N4123RLRM |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung : | TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 5552 pcs |
| Datenblätte | 2N4123RLRM.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 625mW |
| Verpackung | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 2mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
| Basisteilenummer | 2N4123 |
