| Artikelnummer : | 1N8028-GA |
|---|---|
| Hersteller / Marke : | GeneSiC Semiconductor |
| Beschreibung : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| RoHS Status : | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 211 pcs |
| Datenblätte | 1N8028-GA.pdf |
| Spannung - Spitzensperr- (max) | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 9.4A (DC) |
| Spannung - Durchschlag | TO-257 |
| Serie | - |
| RoHS Status | Tube |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Widerstand @ If, F | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation | TO-257-3 |
| Andere Namen | 1242-1115 1N8028GA |
| Betriebstemperatur - Anschluss | 0ns |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | 1N8028-GA |
| Expanded Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| Diodenkonfiguration | 20µA @ 1200V |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.6V @ 10A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 1200V (1.2kV) |
| Kapazität @ Vr, F | -55°C ~ 250°C |
GeneSiC Semiconductor
